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使用安森美半导体的IGBT实现高能效和高性能开关应用

* 来源: * 作者: * 发表时间: 2020-05-24 1:04:39 * 浏览: 3
如今,无论是在工业领域还是民用产品的开关应用中,绝缘栅双极型晶体管(IGBT)都能提供有效的解决方案,以实现最终产品的高能效和高性能。在能源至关重要的市场中,电子设计师可以实施高能效设备,并为不同应用选择合适的IGBT。促进节能创新的安森美半导体提供了大量分立的IGBTvar_bdhmProtocol =((“ https:” == document.location.protocol)? ” Https://”:“ http://”),document.write(unescape(“%3Cscriptsrc ='” + _ bdhmProtocol +” hm.baidu.com/h.js%3F83e8d4ba8c3dd1c5d05a795e63a2d7b4'type='text/javascript '%3E%3C / script%3E”)),如今,无论是否用于工业领域,绝缘栅双极晶体管(IGBT)仍是民用产品的开关应用,可以提供有效的解决方案,以实现高能效和高性能最终产品。在能源至关重要的市场中,电子设计师可以实施高能效设备,并为不同应用选择合适的IGBT。安森美半导体致力于推动节能创新,提供了丰富的分立IGBT解决方案,这些解决方案已广泛用于电磁炉,不间断电源(UPS),太阳能逆变器和逆变焊接机。 IGBT技术概述IGBT具有很强的抗能量冲击能力和抗短路电流的能力(5到10微秒)。现有的IGBT包括通道非穿通(NPT),通道场截止(FS)生成和通道场截止第二代IGBT。随着制造工艺的进步,已经采用了50微米晶圆和金属底板。超薄晶圆及其背面处理工艺减少了IGBT的导通和开关损耗。比较沟道非穿通型和沟道场截止型IGBT,可以发现前者的电场强度在硅漂移区(n-FZ)线性降低至0,并且硅漂移区的厚度减小由于它与耐压成线性比例,因此具有高导通电压和低关断损耗,后者使用N缓冲层来减小硅漂移区的厚度并实现超薄晶片,从而实现低厚度导通电压降和低关断损耗(图1)。从技术趋势的角度来看,从最初的250μm到现在的100μm和75μm,6至8英寸晶片的厚度正在不断减小,并且正在开发50μm和40μm的厚度。可以预见,IGBT的性能有望在未来提高。